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기사입력 : 2022.05.12 07:30
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소비자불만119신문=강신정/기자]

RF 및 전원 솔루션의 세계적 선도 기업인 코보(Qorvo®, 나스닥: QRVO)가 업계 선도적인 온-저항 수치를 제공하는 차세대 1200V 실리콘 카바이드(SiC) FET (Field Effect Transistor) 시리즈를 발표했다.

1200V Gen4 SiC FET의 새로운 UF4C/SC 시리즈는 800V 버스 구조의 전기자동차(EV)용 OBC (On Board Charger), 산업용 배터리 충전기, 산업용 전원 공급 장치, DC/DC 태양광 인버터를 비롯해 용접기, 무정전 전원 공급 장치(UPS), 인덕션 애플리케이션에 이상적이다.

UnitedSiC/Qorvo의 아눕 발라(Anup Bhalla) 파워 디바이스 담당 수석 엔지니어는 “1200V까지 확장된 UnitedSiC의 차세대 고성능 Gen4 옵션을 통해, 우리는 800V로 버스 전압 구조를 옮기려는 개발자에게 더 나은 지원을 제공할 수 있게 됐다”며 “전기 자동차에서는 이처럼 높은 전압으로의 전환이 불가피하며, 4가지의 서로 다른 RDS (on) 값을 가진 이러한 차세대 신제품들은 설계 시 개발자가 최적의 SiC를 선택할 수 있도록 도와준다”고 말했다.

동급 최고의 성능을 나타내는 새로운 UF4C/SC 시리즈의 성능은 다음과 같다:

1.성능 지표(FOM): RDS (on)·A, 값(Value): 1.35 mOhm-cm2
2.성능 지표(FOM): RDS (on)·Eoss, 값(Value): 0.78 Ohm-uJ
3.성능 지표(FOM): RDS (on)·Coss,tr, 값(Value): 4.5 Ohm-pF
4.성능 지표(FOM): RDS (on)·Qg, 값(Value): 0.9 Ohm-nC

23, 30, 53 및 70mΩ의 RDS(on) 값을 나타내는 모든 제품들은 업계 표준 TO-247-4L 패키지로 제공돼 보다 높은 성능 레벨에서도 저잡음의 스위칭을 제공한다. 53 및 70mΩ 제품의 경우 TO-247-3L 패키지로도 제공된다. 이번 신제품들은 소결 다이 부착 방식(silver-sinter die attach) 및 최신의 웨이퍼 박형 공정을 통해 우수한 발열 성능을 기반으로 뛰어난 신뢰성을 확보하고 있다.

모든 1200V SiC FET는 다양한 AC/DC 및 절연/비절연 DC/DC 컨버터 토폴로지에 사용되는 디바이스의 효율, 부품 손실, 접합 온도 상승을 즉시 평가할 수 있는 무료 온라인 설계 도구인 FET-Jet CalculatorTM에 포함돼 있다. 또한 최적의 솔루션 구현을 위해 사용자가 지정한 히트싱크 조건에서 단일 및 병렬 디바이스를 비교할 수 있다.

코보(Qorvo)의 SiC 및 전원 관리 제품군은 다양한 산업, 상업, 소비가전 애플리케이션의 효율적인 충전 및 전원 관리를 가능하게 한다.

코보(Qorvo) 개요

코보(Qorvo, 나스닥: QRVO)는 혁신적인 RF 솔루션을 제공해 더 나은 세상을 가능하게 한다. 코보(Qorvo)는 제품 및 기술 리더십, 시스템 레벨의 전문 지식, 글로벌 생산 능력을 통해 고객의 기술적 난제를 신속히 해결한다. 코보(Qorvo)는 첨단 무선 장비, 유무선 네트워크, 군사용 레이더, 통신 등 다양한 글로벌 시장을 지원하고 있다. 또한 코보(Qorvo)는 독창적인 경쟁력을 통해 5G 네트워크, 클라우드 컴퓨팅, 사물 인터넷 및 기타 새로운 애플리케이션을 발전시키고 인간과 지역 및 사물을 상호 연결하는 글로벌 프레임워크를 확장한다. 홈페이지를 방문하면, 코보(Qorvo)가 어떻게 세상을 연결하고 있는지 보다 자세히 확인할 수 있다. Qorvo는 미국 및 그 밖의 지역에서 Qorvo, Inc.의 등록 상표다. 모든 다른 상표는 해당 소유자의 자산이다

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코보, 업계 최고 수준의 1200V Gen 4 SiC FET 출시
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